l 2002年8月，申请建设上海市低温超导高频腔重点实验室。
l 2004年，超导高频腔模型腔的研究启动。
l 2005年6月30日，低温超导高频腔技术重点实验室实施方案专家论证会，该会高度肯定“上海低温超导高频腔技术重点实验室”的建设目标，即定位为上海光源超导高频腔的建造、调试、运行和维护提供技术支持，培养技术人才，并在国内开展超导腔自主研发上，具有重要的现实意义。
l 2005年11月底，完成模型腔的结构设计工作。通过模拟计算和比较分析，完成了高频腔的物理设计和优化，提出了完整的物理设计参数。
l 2006年2月，在与KEK的合作框架下，原属于KEK的移动式液氦制冷机运抵上海应用物理所的114楼。
l 2006年3月29日，在与KEK的合作框架下，原属于KEK PF的常温高频腔运抵上海应用物理所的114楼。
l 2007年1月18日至19日，负责完成了上海光源增强器180kW高频发射机从嘉定园区到张江园区的搬迁。该设备是增强器高频功率源，为增强器两台500MHz常温加速腔提供高频功率。
l 2007年4月2日，上海光源储存环超导高频腔功率源的第一台300kW发射机系统，顺利通过300kW下连续运行50小时无故障的最终现场测试验收，各项技术指标均达到或优于设计指标，为上海光源超导高频系统的集成迈出了成功的第一步。该发射机系统在1月30日开始安装就位，经过本实验室人员的攻坚，克服种种困难，保证了由安装、接线、校准到最终测试等一系列环节的顺利完成。
l 2007年5月，完成了上海光源储存环第一台300kW高功率环流器和波导系统的安装、调试和测试验收。
l 2007年6月1日，上海光源增强器高频系统联调成功。完成了Ramping模式下两腔峰值功率120kW（对应两腔最高腔压2.6MV）、连续8小时稳定运行的测试。这是自继完成180kW功率源搬迁、升级、调试成功，高功率波导传输系统安装、两台常温高频腔安装与测试、模拟低电平控制调试等各设备独立测试的任务后，本实验室又取得成功的一项重大科研任务。2007年6月在上海完成首件超导腔机械加工、焊接工作。经检测，高频腔频率为1500MHz。
l 2007年10月10日，完成了上海光源储存环第二、三套300kW发射机系统的安装、调试和现场测试，各项技术指标符合工程要求。
l 2007年11月，与日本高能加速器研究机构合作，完成了超导高频腔模型的表面处理和垂直测试工作。
l 2007年11月，完成了储存环第二、三台300kW环流器的安装、调试和测试验收，各项技术指标完全符合工程要求。
l 2007年12月12日，储存环常温高频腔系统在隧道内安装就位，开始高频系统调试工作，有力支持了2007年12月24日实现3GeV的电子束储存和储存环分别于2008年1月1日实现50mA、80mA和1月3日实现100mA的束流储存。
l 2008年6月6日，上海光源储存环第一台超导高频腔在储存环高频厅现场通过测试验收，各项指标完全符合上海光源工程要求，加速腔压2MV时，腔耗小于70W。
l 2008年7月1日，2台超导高频腔在储存环隧道12米高频直线节安装就位，并与高功率传输波导系统连接完毕，水电风系统调试成功。
l 2008年8月3日，上海光源储存环第二台超导高频腔在储存环高频厅内顺利通过测试验收，各项技术指标完全符合上海光源工程要求。
l 2008年8月5日，上海光源储存环超导高频系统联调成功。这是国内首次实现数字化低电平控制、超导高频加速腔和发射机功率源系统的集成。
l 2008年8月8日，本实验室科研人员准确无误的运行了超导高频系统，支持上海光源储存环实现了3.5GeV 50mA的束流储存，并与8月10日实现了100mA的束流储存。本实验室有力支持了上海光源工程的第二阶段调束任务。
l 2008年9月13日，上海光源储存环第三台超导高频腔在储存环隧道内顺利通过测试验收，各项技术指标完全符合上海光源工程要求。
l 2008年9月17日，三台超导高频腔全部安装就位，投入运行。这是我国最大的超导高频系统建设的顺利完成，各项技术指标达到工程要求，性能运行稳定可靠，支持储存环在9月30日实现了200mA的束流储存。
l 2009年4月，上海光源超导高频系统通过国际评审，与会专家认为上海光源超导高频系统的性能达到国际先进水平，上海光源超导高频系统的建设经验值得向国内外同行推广。评审专家的评价摘录如下：The experience gained at SSRF on the superconducting RF systems is valuable. The Committee suggests that this experience be shared with other light sources using the Cornell/ACCEL SC cavities.
l 2009年12月，分别完成了超导铌腔垂直测试屏蔽井和垂直测试恒温器的研制。
l 2010年5月，完成了两台500MHz单cell超导铌腔在我国首次的“深冲压—电子束焊接”加工。
l 2010年6月21日，完成了我国首次500MHz单cell超导铌腔的垂直测试，并于6月23日经国内专家测试，整套超导腔的研制流程和成果得到专家的一致认可。7月3日完成的垂直测试结果表明， Q0>1E9 @ Eacc=7.5MV/m和Q0>4E8 @ Eacc=10MV/m ，居同类超导腔的国际水平。
l 2011年5月，成功完成了铜质梅花型束管的深冲压成型，掌握了梅花型束团深冲压成型的技术，实现了梅花型束管的无缝化，为进一步实现纯铌梅花束管的冲压成型打下了基础，从而保证获得更好的超导腔性能。
l 2011年11月，上海市超导高频腔技术重点实验室成功通过上海市评估委员会评估。
l 2012年4月，成功探索出一套500 MHz 5-cell高频腔半腔及束管深冲压成型技术；
l 2012年7月，成功探索出一套500 MHz 5-cell高频腔束管功率输入耦合孔与P15d孔的拉孔技术；
l 2012年10月，500 MHz 5-cell铜模型腔和超导铌腔电子束焊接成功；
l 2012年10月，500 MHz 5-cell超导腔垂直测试恒温器内坡莫合金磁屏蔽层1100度连续6小时高温真空退火处理成功，得到了良好的地磁屏蔽效果；
l 2012年11月，500 MHz 5-cell超导腔垂直测试恒温器加工完成，实践表明其在4.2K液氦温度下静态功率损耗小于10W；
l 2012年11月，完成ADS 162 MHz HWR超导腔超大量程横向可调功率输入耦合器的设计与加工，其可使耦合器内导体插入深度在-20mm-+20mm之间变化，实验证明，该可调耦合器在4.2K低温条件下工作正常。
l 2012年10月底至12月初，成功完成了兰州近代物理研究所第一个ADS 162 MHz HWR超导铌腔的表面处理和垂直测试，结果表明在保证腔内真空度好于1E-9mbar条件下，获得了Q0>3E8@Eacc=4.9MV/m的加速性能；
l 2012年10月底至12月初，成功完成了500 MHz 5-cell超导腔的表面处理和垂直测试，结果表明在保证腔内真空度好于1.2E-9mbar条件下，获得了Q0>1E9@Vacc=7.5MV的加速性能。
l 2013年4月，500 MHz上海光源备用腔铌半腔及其梅花型束管深冲压成功。
